TDD(台冠电子)

二极管配置 独立式；极性 双向；反向截止电压（Vrwm) 33V；钳位电压（VC) 56.4V；击穿电压（VBR) 36.7~40.6V；峰值脉冲功率 (Ppp) 400W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 7.1A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 - 55℃~+150℃

二极管配置独立式；正向压降 (VF) 0.55V@2A; 直流反向耐压 (VR) 40V; 平均整流电流 (IF) 2A; 正向浪涌电流 (IFSM):50A; 反向电流 (IR) 20μA@40V; 非重复峰值浪涌电流 50A; 工作结温范围 -55℃~+125℃

二极管配置 独立式；极性 双向；反向截止电压（Vrwm) 16V；钳位电压（VC) 28.7V；击穿电压（VBR) 17.8~19.7V；峰值脉冲功率 (Ppp) 400W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 13.9A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 - 55℃~+150℃

MOS配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds)-20V；连续漏极电流（Id)-4A；栅极开启电压 (Vgs (th))-0.8~-2.5V；导通内阻 (Rds (on))≤55mΩ@Vgs=-4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃

BZT52C36S

二极管配置 集成双通道；极性 不对称双向；反向截止电压（Vrwm)+12V/-7V；钳位电压（VC) 26V；峰值脉冲功率 (Ppp) 400W@8/20us；峰值脉冲电流 (Ipp) 17A@8/20us；反向电流 (IR) 1μA；结电容 45pF；ESD 空气耐压 30KV；工作结温范围 - 55℃~+150℃

MOS 配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds) -30V；连续漏极电流（Id) -4.3A；栅极开启电压 (Vgs (th)) -1.0V~-3.0V；导通内阻 (Rds (on)) 110mΩ@Vgs=-10V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 -55℃~+150℃

二极管配置 独立式；极性 单向；反向截止电压（Vrwm) 15V；钳位电压（VC) 26.8V；击穿电压（VBR) 16.7~18.5V；峰值脉冲功率 (Ppp) 400W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 14.9A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 - 55℃~+150℃

二极管配置 独立式；正向压降 (VF) 0.38V@100mA; 直流反向耐压 (VR) 40V; 平均整流电流 (IF) 1A; 正向浪涌电流 (IFSM):10A; 反向电流 (IR) 5μA@40V; 非重复峰值浪涌电流 10A; 工作结温范围 -55℃~+125℃

MOS配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 3.5A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 1~3V；导通内阻 (Rds (on))≤60mΩ@Vgs=4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃

MBR0530T1G

二极管配置：稳压独立式；正向压降 (VF) 0.70V@10mA；直流反向稳压值 (VR) 6.8V；平均整流电流 (IF) 200mA；正向浪涌电流 (IFSM)：1A；反向电流 (IR) 10μA@1V；非重复峰值浪涌电流 1A；工作结温范围 -55℃~+150℃

二极管配置 独立式；极性 双向；反向截止电压（Vrwm) 36V；钳位电压（VC) 61.5V；击穿电压（VBR) 40.0~44.4V；峰值脉冲功率 (Ppp) 400W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 6.5A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 - 55℃~+150℃

MOS 配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 3.3A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.0V~3.0V；导通内阻 (Rds (on)) 80mΩ@Vgs=10V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 -55℃~+150℃

DSK24

二极管配置独立式；正向压降 (VF) 0.55V@2A; 直流反向耐压 (VR) 40V; 平均整流电流 (IF) 2A; 正向浪涌电流 (IFSM):50A; 反向电流 (IR) 20μA@40V; 非重复峰值浪涌电流 50A; 工作结温范围 -55℃~+125℃

二极管配置 独立式；极性 双向；反向截止电压（Vrwm) 15V；钳位电压（VC) 26.8V；击穿电压（VBR) 16.7~18.5V；峰值脉冲功率 (Ppp) 200W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 7.5A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 - 55℃~+150℃

二极管配置 独立式；正向压降 (VF) 0.88V@1A; 直流反向耐压 (VR) 1000V; 平均整流电流 (IF) 1A; 正向浪涌电流 (IFSM):25A; 反向电流 (IR) 1.8μA@1000V; 非重复峰值浪涌电流 25A; 工作结温范围 -55℃~+150℃

二极管配置 独立式；极性 双向；反向截止电压（Vrwm) 30V；钳位电压（VC) 51.3V；击穿电压（VBR) 33.3~36.9V；峰值脉冲功率 (Ppp) 200W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 3.9A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 - 55℃~+150℃

二极管配置 独立式；极性 双向；反向截止电压（Vrwm) 64V；钳位电压（VC) 104V；击穿电压（VBR) 70.4~77.6V；峰值脉冲功率 (Ppp) 5000W@10/1000us；峰值脉冲电流 (Ipp) 48A@10/1000us；反向电流 (IR) 1μA；工作结温范围 -55℃~+150℃