NH(纽航)
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产品搜索结果共 50+ 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 桥式整流器 | GBJ3510 | 查看详情 | |||||
| 桥式整流器 | GBJ610G | 查看详情 | |||||
| 桥式整流器 | 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.1V@5A 正向浪涌电流(Ifsm):220A | 查看详情 | |||||
| 桥式整流器 | 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):25A 正向压降(Vf):1.1V@12.5A 正向浪涌电流(Ifsm):320A | 查看详情 | |||||
| 桥式整流器 | GBJ2506L | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=19.5A,RDS(on)=130mΩ typ.@18V,TO-220FP封装 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=15.5A,RDS(on)=190mΩ typ.@18V,TO-252封装 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=15.5A,RDS(on)=190mΩ typ.@18V,TO-220FP封装 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=10A,RDS(on)=260mΩ typ.@18V,TO-252封装 | 查看详情 | |||||
| 单二极管 | MBR30L300CD | 查看详情 | |||||
| 单二极管 | MBR40L100CD | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | NPS50N20C | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | NPS30N20C | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=10A,RDS(on)=260mΩ typ.@18V,TO-220FP封装 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=19.5A,RDS(on)=130mΩ typ.@18V,TO-252封装 | 查看详情 | |||||
| 单二极管 | 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):250ns | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | NTH084N06S | 查看详情 | |||||
| 桥式整流器 | 肖特基桥式整流器(SKY),VRRM=200V, IF(AV)=5A,ABS封装 | 查看详情 | |||||
| 单二极管 | SR5250 | 查看详情 |
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