NH(纽航)

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桥式整流器

GBJ3510

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桥式整流器

GBJ610G

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桥式整流器

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.1V@5A 正向浪涌电流(Ifsm):220A

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桥式整流器

直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):25A 正向压降(Vf):1.1V@12.5A 正向浪涌电流(Ifsm):320A

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桥式整流器

GBJ2506L

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=19.5A,RDS(on)=130mΩ typ.@18V,TO-220FP封装

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=15.5A,RDS(on)=190mΩ typ.@18V,TO-252封装

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=15.5A,RDS(on)=190mΩ typ.@18V,TO-220FP封装

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=10A,RDS(on)=260mΩ typ.@18V,TO-252封装

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单二极管

MBR30L300CD

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单二极管

MBR40L100CD

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

NPS50N20C

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

NPS30N20C

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用:适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=10A,RDS(on)=260mΩ typ.@18V,TO-220FP封装

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=19.5A,RDS(on)=130mΩ typ.@18V,TO-252封装

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单二极管

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):250ns

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

NTH084N06S

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桥式整流器

肖特基桥式整流器(SKY),VRRM=200V, IF(AV)=5A,ABS封装

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单二极管

SR5250

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