ZXMP6A18DN8TA-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流5.3 A
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流5.3 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 其他 | |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2W |