ZXMC6A09DN8TA-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单SOP8；N+P--Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
耐压60 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻29 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻29 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |