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| 电源 | |
|---|---|
| N管-ID最大漏极电流 | 5.2A |
| N管-Vdss漏源电压 | 40V |
| N管-Vgsth门槛电压 | 1V |
| P管-ID最大漏极电流 | 4.7A |
| P管-Vdss漏源电压 | 40V |
| P管-Vgsth门槛电压 | 1V |
| 交流 / 直流特性 | |
| N管-Rds最大导通阻抗 | 50mΩ |
| P管-Rds最大导通阻抗 | 60mΩ |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | SO |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -50℃ |
| 其他 | |
| N管-Qg栅极电荷 | 17nC |
| N管-Vgs最大值 | 20V |
| Pd-功率耗散 | 2.1mW |
| P管-Qg栅极电荷 | 26nC |
| P管-Vgs最大值 | 20V |
| 引脚数量1 | 8 |