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WNMD2171-4/TR

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压20 V
导通电阻38 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
导通电阻38 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
其他
反向传输电容(Crss)135pF@10V
导通电阻(RDS(on))38mΩ@4.5V,3A
数量2个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 478.7 KB · 2026-09-21
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