Renesas Electronics Corporation日本

UPA861TD

双极 RF 晶体管
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技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.03A
VCEO-集射级击穿电压3V
交流 / 直流特性
fT-变换频率12GHz
环境与封装
最大工作温度150°C

技术资料

该型号暂未收录资料。