TF(拓锋)中国

TF4953

晶体管 - FET，MOSFET - 单

SOP-8L双P沟道功率沟槽MOSFET

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻45 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流5.3 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.3A
其他
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
数量2个P沟道

技术资料

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