STS3P6F6

STS3P6F6

停产单 FET,MOSFET8-SOIC

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3 A
导通电阻160 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流3 A
导通电阻160 mΩ最大 · 1.5A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)2.7W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
其他
Base Product NumberSTS3P
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds340 pF @ 48 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.5A, 10V
SeriesDeepGATE™, STripFET™ VI
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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