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SIS932EDN-T1-GE3

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6 A
导通电阻22 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6 A
导通电阻22 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
其他
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V,10A
数量2个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 257.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 210.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 41.0 KB · 2026-09-21
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