SI2333-TP-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-20V；-3.5A；RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=-0.8V；采用Trench技术；
耐压20 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻90 mΩ
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耐压20 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻90 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |