PMF170XP-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其具备1.8A的电流承载能力，能在20V的电压下稳定工作。内阻典型值为120mR，确保较低的能耗。VGS为8V，使得产品在特定栅源电压下导通性能更佳。该元器件因其出色的性能和稳定性，非常适合于电源管理等多种应用场景。(PMF170XP,115)
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.8 A
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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.8 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |