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技术参数

电源
IDM-脉冲电流12A
ID-最大漏极电流9.4A
VDSS-最大漏源电压650V
Vgs(th)-门槛电压1.6V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗340mΩ
环境与封装
封装类型1DFN8*8
其他
Ciss-输入等效电容80pF
Pd-功率耗散62W
Qg-栅极电荷1nC
引脚数量18
栅源耐压Vgs-10V

技术资料

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