NTZD5110NT1G-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N型沟道Trench技术的MOSFET，适用于工作在60V的电路中。SC75-6；2个N—Channel沟道,60V；0.3A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=1.6V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流300 mA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 220mW |