MTP6P20E
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MTP6P20E

停产单 FET,MOSFETTO-220

MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB

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沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流6 A
导通电阻1 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流6 A
导通电阻1 Ω最大 · 3A
阈值电压4 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)75W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
其他
Base Product NumberMTP6P
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 3A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

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