MJD122G
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MJD122G

在产单个双极晶体管TO-252-3

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

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类型NPN
集射极耐压100 V
集电极电流8 A
放大倍数 hFE1000

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技术参数

类型NPN
集射极耐压100 V
集电极电流8 A最大
放大倍数 hFE10004A
功率20 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)10µA
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Power - Max20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition4MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
其他
Base Product NumberMJD122
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A

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技术资料

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