MJD112TF
onsemi美国

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

类型NPN
集射极耐压100 V
集电极电流2 A
放大倍数 hFE1000

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

类型NPN
集射极耐压100 V
集电极电流2 A最大
放大倍数 hFE10002A
功率1.75 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)20µA
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Power - Max1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition25MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageD-Pak
其他
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A

器件图片

技术资料