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技术参数

电源
IC-最大集电极电流2A
VCBO-CB结击穿电压50V
VCBO-集基级击穿电压50V
VCEO-CE结击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
VEBO-EB结击穿电压5V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率120MHZ
hFE-最小直流增益70
Hfe-最小直流增益120
环境与封装
封装类型1SOT89
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散0.5W
Pd-最大功率耗散0.5W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

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