K1101-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面工艺制造，适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；12A；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流12 A
导通电阻650 mΩ
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流12 A
导通电阻650 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 12A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |