JJW(捷捷微)中国

JMSH1004AE-13

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流190 A
导通电阻3 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流190 A
导通电阻3 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)190A
其他
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V,20A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 342.0 KB · 2026-09-21
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