IRLR3636

IRLR3636

在产单 FET,MOSFET

IRLR3636 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 60 V, RDS (on) max: 6.8 mOhm, Package: DPAK (TO-252), Technology: IR MOSFET™, ID max: 99 A

阈值电压1.75 V

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

阈值电压1.75 V最大
环境与封装
Moisture Sensitivity Level1
MountingSMD
Operating Temperature range-55 °C to 175 °C
PackageDPAK (TO-252)
其他
ID (@25°C) max99 A
PolarityN
Ptot max143 W
Qgd15 nC
QG (typ @4.5V)33 nC
RDS (on) (typ @10V) max6.8 mΩ
RDS (on) (typ @4.5V) max8.3 mΩ
RthJC max1.05 K/W
Special FeaturesLogic Level
Tj max175 °C
VDS max60 V
VGS max16 V
VGS(th)1.75 V
VGS(th) range1 V to 2.5 V

器件图片

技术资料