IRLML5103TRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.4 A
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.4 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |