IRLML2502PBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N型场效应管拥有出色的电流承载能力，高达6A，同时能承受最高20V的电压。其内阻典型值为22mΩ，确保了高效率。VGS为12V，使得产品在多种应用中都能保持稳定的性能。适用于电源管理、信号放大及开关电路等，是电子设备的理想选择。(IRLML2502TRPBF)
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9 A
导通电阻27 mΩ
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9 A
导通电阻27 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |