MOSFET P-CH 30V 10A SO-8

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耐压-30 V
连续漏极电流-10 A
导通电阻20 mΩ
阈值电压-2.04 V

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技术参数

耐压-30 V
连续漏极电流-10 A
导通电阻20 mΩ最大
阈值电压-2.04 V最大
环境与封装
PackageSO-8
其他
ID-10 A (Max)
PD2.5 W (Max)
RDS(on)0.020 Ω (Max)
TJ-55 to +150 °C
VDS-30 V
VGS(th)-1.0 to -2.04 V

技术资料

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