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技术参数

电源
ID-最大漏极电流10A
Id-额定电流10A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压2.04V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗20mΩ
Ron-最大导通阻抗20mΩ
环境与封装
封装类型1SO
最大工作温度150℃
最小工作温度-55℃
其他
Ciss-输入电容1700pF
Ciss-输入等效电容1700pF
Pd-功率耗散2.5W
Pd-最大功率耗散2.5W
Qg-栅极电荷61nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

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技术资料