IRF7301TRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,20V；7.1A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.6~1.5V；
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流7.1 A
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流7.1 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A |
| 其他 | |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2W |