IRF640NSPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N型的MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源转换器、家用电器、工业控等领域。TO263；N—Channel沟道,200V；40A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流40 A
导通电阻48 mΩ
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沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流40 A
导通电阻48 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个N沟道 |