IRF3205ZPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流120 A
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流120 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 136W |