20V N沟道增强型MOSFET

耐压20 V
连续漏极电流2 A
导通电阻65 mΩ

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技术参数

耐压20 V
连续漏极电流2 A
导通电阻65 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
其他
导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W

技术资料