20V N沟道增强型MOSFET,电流:5A,耐压:20V

耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻40 mΩ

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技术参数

耐压20 V
连续漏极电流5 A
导通电阻40 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
其他
导通电阻(RDS(on))40mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.25W

技术资料