GKH04D65BF

在产

SiC · 碳化硅二极管

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技术参数

电源
反向电流 Ir (μA)200
整流电流 IF (A)4
非重复峰值浪涌电流 Ifsm (A)36
环境与封装
封装SMBF
其他
工作结温范围 Tj (℃)-40℃~+175℃
总电容电荷 Qc (nC)19
正向压降 Vf (V)1.98
直流反向耐压 Vr (V)650

技术资料

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