NPN 100mA 50V 数字晶体管,内置 4.7kΩ 偏置电阻,SOT-723 封装,AEC-Q101 认证,适用于反相器、接口和驱动电路。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

21 项
参数值和测试条件出处
封装SOT-723 (VMT3)
工作温度-40 to +100 °C
等级AEC-Q101 Qualified
电源电压50 V
输入电压-10 to 30 V
输出电流100 mA
集电极电流100 mA
耗散功率150 mW
结温150 °C
存储温度范围-55 to +150 °C
输入电压 (关断)Max 0.5 V (VCC=5V, IO=100µA)
输入电压 (导通)Min 3.0 V (VO=0.3V, IO=20mA)
输出电压 (导通)Typ 100 mV, Max 300 mV (IO=10mA, II=0.5mA)
输入电流Max 1.8 mA (VI=5V)
输出电流 (关断)Max 500 nA (VCC=50V, VI=0V)
直流电流增益Min 30 (VO=5V, IO=10mA)
输入电阻Min 3.29 kΩ, Typ 4.7 kΩ, Max 6.11 kΩ
电阻比Min 0.8, Typ 1.0, Max 1.2
特征频率Typ 250 MHz (VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz)
内置电阻 R14.7 kΩ
内置电阻 R24.7 kΩ
全部参数(10 项)展开收起
电源
IC-最大集电极电流0.1A
VCEO-CE结击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
交流 / 直流特性
fT-变换频率250MHZ
hFE-最小直流增益30
Hfe-最小直流增益30
其他
Pd-功率耗散0.15W
Pd-最大功率耗散0.15W
偏置电阻R14.7KΩ
偏置电阻R24.7KΩ

引脚与封装

封装SOT-723 (VMT3)

脚位名称功能出处
1IN(BASE) 输入 (基极)
2GND(EMITTER) 地 (发射极)
3OUT(COLLECTOR) 输出 (集电极)

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。