DMP3036SSD-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款场效应管为P+P型，电流为11A，可在一定功率范围内发挥作用。电压30V，能适应特定电路环境。内阻典型值14mR，能量损耗处于一定水平。VGS为20V。在消费电子领域，可用于小型电子设备的电流控制。(DMP3036SSD-13)
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11 A
导通电阻18 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11 A
导通电阻18 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 数量 | 2个P沟道 |