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技术参数

电源
Current - Gate to Anode Leakage (Igao)10 nA
Current - Peak150 nA
Current - Valley (Iv)25 µA
Power Dissipation (Max)167 mW
Voltage40V
Voltage - Output6V
交流 / 直流特性
Voltage - Offset (Vt)600 mV
环境与封装
PackageBulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他
MfrCentral Semiconductor Corp
Product StatusObsolete
Series-

技术资料