RF MOSFET N-CH GaN HEMT 150V 100W SOT467C

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技术参数

电源
Drain-Source Voltage (Max)150 V
Output Power100 W
交流 / 直流特性
Frequency RangeDC to 3.5 GHz
环境与封装
Junction Temperature (Max)250 °C
PackageSOT467C
Thermal Resistance (Junction to Case)1.02 K/W (Typ)
其他
TechnologyGaN HEMT

技术资料