CEA6861-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻65 mΩ
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻65 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V,2A |
| 数量 | 1个P沟道 |