CEA6426-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种功率电路应用。SOT89-3；N—Channel沟道,60V；5.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流4.7 A
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流4.7 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 4W |