CEA3252-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率和电流的应用场合，能够在一定程度上平衡功率和性能。其小型封装和低功耗特性使其适用于需要紧凑结构和高效能的电子设备和系统。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；
沟道N 沟道
连续漏极电流6.8 A
阈值电压1.5 V
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
连续漏极电流6.8 A
阈值电压1.5 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 4W |