BSS84PH6327-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
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台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
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