MOS管 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,300mA

沟道P 沟道
耐压55 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻4 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压55 V
连续漏极电流300 mA
导通电阻4 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)300mA
其他
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V,0.3A
数量1个P沟道

技术资料