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BSS84

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻8 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻8 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)170mA
其他
导通电阻(RDS(on))8Ω@10V,0.17A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 3.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 517.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 447.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 322.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 224.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 198.2 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 182.5 KB · 2026-09-21
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