BSL215C-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
沟道N + P
耐压20 V
连续漏极电流3.4 ~ 5.5 A
导通电阻55 mΩ
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沟道N + P
耐压20 V
连续漏极电流3.4 ~ 5.5 A
导通电阻55 mΩ最大 · 10V，10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；5.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V；22mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |