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技术参数

电源
IC-最大集电极电流10A
VCBO-集基级击穿电压100V
VCEO-集射级击穿电压100V
交流 / 直流特性
fT-变换频率3MHZ
hFE-最小直流增益750
环境与封装
封装类型1TO-220AB
封装类型2SFM
封装类型3TO-220
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散70W
VCE(sat)-集射级饱和压降2.5V
引脚数量13
引脚数量23
引脚数量33

技术资料

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