全部替代型号

查看完整报告

技术参数

电源
IC-最大集电极电流1.5A
VCEO-CE结击穿电压45V
VCEO-集射级击穿电压45V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益100
Hfe-最小直流增益100
环境与封装
封装类型1SIP
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散1.25W
Pd-最大功率耗散1.25W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

技术资料

该型号暂未收录资料。