BC858BW
MDD德国

BC858BW

在产

Transistors 三极管 · general purpose small signal bipolar transistors

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技术参数

环境与封装
封装类型SOT-323
其他
BVCBO (V)-30
BVCEO (V)-30
BVEBO (V)-5
hHE (Max)475
hHE (Min)220
IC (mA)-100
PCM (mW)200
PolarityPNP
VBE(sat) (V)3K
VCE(sat) (V)-0.65
数量 函数Single
零件编号BC858BW

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技术资料