APT30GP60B2DLG

单 IGBT
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技术参数

电源
IC(100℃)-最大集电极电流49A
IC(25℃)-最大集电极电流49A
ICM-集电极峰值电流120A
IF-二极管正向电流60A
VCES-集射极阻断电压600V
环境与封装
封装类型1TMAX
其他
Eoff-关断损耗能量0.52mJ
Eon-开通损耗能量0.508mJ
Pd-功率耗散463W
Qg-栅极电荷90nC
tf-下降时间80ns
VCE(sat)-集射级饱和压降2.2V
VF-二极管导通压降2V
Vges-门极发射极耐压20V
Vge(th)-门极发射极阈值6
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量13
软开关0

技术资料

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