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AP4407C

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道增强型MOSFET,电流:-12A,耐压:-30V

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耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻14 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流12 A
导通电阻14 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
其他
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.7W

技术资料

数据手册数据手册 · 994.0 KB · 2026-09-21
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