APM(永源微电子)中国

AP4407B

晶体管 - FET，MOSFET - 单

30V P沟道增强型MOSFET,电流:11.3A,耐压:30V

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.3 A
导通电阻16 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.3 A
导通电阻16 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11.3A
其他
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21
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