AP1002
晶体管 - FET，MOSFET - 单N沟道，100V，2.6A，90mΩ@10V；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2.6 A
导通电阻135 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流2.6 A
导通电阻135 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |