AO5404E-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构设计，采用Trench技术，适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。SC75-3；N—Channel沟道,20V；0.85A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
沟道N 沟道
耐压20 V
导通电阻270 mΩ
阈值电压1 V
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压20 V
导通电阻270 mΩ最大 · 4.5V
阈值电压1 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V,1A |
| 数量 | 1个N沟道 |